Renesas Electronics MOSFET, 2 A, 20 ns / 10 ns, 9 V ～ 14V, 8ピン SOIC-8

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梱包形態
RS品番:
263-6913
メーカー型番:
HIP2100IBZT
メーカー/ブランド名:
ルネサス エレクトロニクス
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ブランド

ルネサス エレクトロニクス

プロダクトタイプ

MOSFET

出力電流

2A

ピン数

8

降下時間

10ns

パッケージ型式

SOIC-8

ドライバタイプ

MOSFET

上昇時間

20ns

最小電源電圧

9V

最大電源電圧

14V

動作温度 Min

-40°C

動作温度 Max

125°C

シリーズ

HIP2100

規格 / 承認

RoHS

高さ

1.7mm

長さ

4.98mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
Renesas Electronicsの低コスト、高周波ハーフブリッジNチャンネルパワーMOSFETドライバICです。ローサイド及びハイサイドゲートドライバは、独立して制御され、8 nsに対応します。これにより、ユーザーはデッドタイム選択とドライバプロトコルにおいて最大限の柔軟性を発揮します。ローサイド電源とハイサイド電源の両方の低電圧保護により、出力が低くなります。

マルチMHz回路の高速伝播時間

CMOS入力しきい値でノイズ耐性を向上

非ハーフブリッジトポロジ用の独立した入力

起動トラブルなし

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