Renesas Electronics ゲートドライバモジュール HIP2101EIBZ MOSFET 3 A SOIC 8-Pin 100 V
- RS品番:
- 264-0588
- メーカー型番:
- HIP2101EIBZ
- メーカー/ブランド名:
- ルネサス エレクトロニクス
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|---|---|---|
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| 1960 - 8820 | ￥429.331 | ￥420,744 |
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| 14700 - 18620 | ￥416.514 | ￥408,184 |
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- RS品番:
- 264-0588
- メーカー型番:
- HIP2101EIBZ
- メーカー/ブランド名:
- ルネサス エレクトロニクス
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | ルネサス エレクトロニクス | |
| プロダクトタイプ | ゲートドライバモジュール | |
| 出力電流 | 3A | |
| ピン数 | 8 | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| 降下時間 | 10ns | |
| ドライバタイプ | MOSFET | |
| 上昇時間 | 10ns | |
| 最小電源電圧 | 100V | |
| 最大電源電圧 | 100V | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 動作温度 Max | 125°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| シリーズ | HIP2101 | |
| 高さ | 1.7mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド ルネサス エレクトロニクス | ||
プロダクトタイプ ゲートドライバモジュール | ||
出力電流 3A | ||
ピン数 8 | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
降下時間 10ns | ||
ドライバタイプ MOSFET | ||
上昇時間 10ns | ||
最小電源電圧 100V | ||
最大電源電圧 100V | ||
動作温度 Min -40°C | ||
動作温度 Max 125°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
シリーズ HIP2101 | ||
高さ 1.7mm | ||
自動車規格 なし | ||
ルネサス エレクトロニクスのゲートドライバは、動作電源とハイサイドブートストラップバイアスを内蔵した3レベルPWM入力の高周波ハーフブリッジNMOS FETドライバで、ハーフブリッジアプリケーションでのハイサイドとローサイドNMOSの駆動をサポートします。
プログラム可能なデッドタイムによりシュートスルーを防止
双方向コンバータ
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