Renesas Electronics ゲートドライバモジュール HIP2210FRTZ MOSFET 1.69 mA SOIC 10-Pin 100 V
- RS品番:
- 264-3550
- メーカー型番:
- HIP2210FRTZ
- メーカー/ブランド名:
- ルネサス エレクトロニクス
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|---|---|---|
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- RS品番:
- 264-3550
- メーカー型番:
- HIP2210FRTZ
- メーカー/ブランド名:
- ルネサス エレクトロニクス
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | ルネサス エレクトロニクス | |
| プロダクトタイプ | ゲートドライバモジュール | |
| 出力電流 | 1.69mA | |
| ピン数 | 10 | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| 降下時間 | 790ns | |
| ドライバタイプ | MOSFET | |
| 上昇時間 | 20ns | |
| 最小電源電圧 | 100V | |
| 最大電源電圧 | 100V | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 動作温度 Max | 125°C | |
| 長さ | 5mm | |
| シリーズ | HIP2210 | |
| 高さ | 1.75mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 幅 | 4 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド ルネサス エレクトロニクス | ||
プロダクトタイプ ゲートドライバモジュール | ||
出力電流 1.69mA | ||
ピン数 10 | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
降下時間 790ns | ||
ドライバタイプ MOSFET | ||
上昇時間 20ns | ||
最小電源電圧 100V | ||
最大電源電圧 100V | ||
動作温度 Min -40°C | ||
動作温度 Max 125°C | ||
長さ 5mm | ||
シリーズ HIP2210 | ||
高さ 1.75mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
幅 4 mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- MY
ルネサス エレクトロニクスの高周波ハーフブリッジNMOS FETドライバです。プログラム可能なデッドタイムを持つ3レベルPWM入力です。幅広い動作電源範囲（6V～18V）
とハイサイドブートストラップダイオード内蔵により、100Vハーフブリッジ用途でのハイサイド / ローサイドNMOSの駆動をサポートします。
0.5Ω標準ブートストラップダイオードを内蔵
優れたノイズ耐性
VDDおよびブート低電圧ロックアウト
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