Renesas Electronics ゲートドライバモジュール, 2ドライバ, 2出力, 4 A, 435 ns / 365 ns, 6 V ~ 18V, 10ピン TDFN
- RS品番:
- 250-6590
- メーカー型番:
- HIP2210FRTZ-T7A
- メーカー/ブランド名:
- ルネサス エレクトロニクス
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 250 - 1000 | ¥322.912 | ¥80,728 |
| 1250 - 2250 | ¥319.712 | ¥79,928 |
| 2500 - 6000 | ¥313.292 | ¥78,323 |
| 6250 - 12250 | ¥307.048 | ¥76,762 |
| 12500 + | ¥300.96 | ¥75,240 |
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- RS品番:
- 250-6590
- メーカー型番:
- HIP2210FRTZ-T7A
- メーカー/ブランド名:
- ルネサス エレクトロニクス
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | ルネサス エレクトロニクス | |
| プロダクトタイプ | ゲートドライバモジュール | |
| 出力電流 | 4A | |
| ピン数 | 10 | |
| パッケージ型式 | TDFN | |
| 降下時間 | 365ns | |
| 出力数 | 2 | |
| ドライバタイプ | ハーフブリッジ | |
| 上昇時間 | 435ns | |
| 最小電源電圧 | 6V | |
| 最大電源電圧 | 18V | |
| ドライバ数 | 2 | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 動作温度 Max | 125°C | |
| シリーズ | HIP2210 | |
| 幅 | 3mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 3.8mm | |
| 高さ | 750μm | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド ルネサス エレクトロニクス | ||
プロダクトタイプ ゲートドライバモジュール | ||
出力電流 4A | ||
ピン数 10 | ||
パッケージ型式 TDFN | ||
降下時間 365ns | ||
出力数 2 | ||
ドライバタイプ ハーフブリッジ | ||
上昇時間 435ns | ||
最小電源電圧 6V | ||
最大電源電圧 18V | ||
ドライバ数 2 | ||
動作温度 Min -40°C | ||
動作温度 Max 125°C | ||
シリーズ HIP2210 | ||
幅 3mm | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 3.8mm | ||
高さ 750μm | ||
取付タイプ 表面 | ||
自動車規格 なし | ||
Renesas100 V、3 Aソース、4 Aシンク高周波半ブリッジNMOS FETドライバは、HIP2210シリーズに属します。このドライバは10ピン構成です。プログラム可能なデッドタイムの3レベルPWM入力を備えています。6 → 18 Vの幅広い動作電源範囲と内蔵ハイサイドブートストラップダイオードにより、100 Vハーフブリッジ用途でのハイサイド及びローサイドNMOS駆動をサポートします。
115 V dcブートストラップ電源の最大電圧はハーフブリッジで100 Vに対応
高速伝播遅延及びマッチング: 15 ns標準遅延、2 ns標準マッチング(HIP2211)
0.5 Ω標準ブートストラップダイオード内蔵
動作電圧範囲: 6 → 18 V
VDD及びブート低電圧ロックアウト(UVLO)
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