STMicroelectronics インテリジェントパワースイッチ VNS1NV04DPTR-E MOSFET 3.5 A 2 SOIC 2 8-Pin 55 V 表面

ゲートドライバIC・駆動回路 の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示

1 袋(1袋5個入り) 小計：*

￥1,022.00

(税抜)

￥1,124.20

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 5 は海外在庫あり
  • 13,145 は 2026年6月09日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

個
単価
購入単位毎合計*
5 - 120￥204.40￥1,022
125 - 1195￥197.80￥989
1200 - 1595￥191.00￥955
1600 - 1995￥184.40￥922
2000 +￥177.60￥888

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
793-1412
Distrelec 品番:
304-45-904
メーカー型番:
VNS1NV04DPTR-E
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

インテリジェントパワースイッチ

出力電流

3.5A

ピン数

8

降下時間

600ns

パッケージ型式

SOIC

ドライバタイプ

MOSFET

上昇時間

500ns

最小電源電圧

40V

ドライバ数

2

最大電源電圧

55V

シリーズ

OMNIFET

規格 / 承認

2002/95/EC European Directive

長さ

5mm

高さ

1.5mm

取付タイプ

表面

自動車規格

なし

STMicroelectronics OMNIFETシリーズ 完全自動保護パワーMOSFET


OMNIFETシリーズの完全自動保護ローサイドドライバは、その堅牢さと向上した信頼性で評価されています。このソリッドステートパワースイッチは、特に車載環境における誘導負荷及び抵抗負荷用に設計されています。

リニア電流制限

過熱保護

短絡保護

ESD 保護

クランプ内蔵

インテリジェント電源スイッチ、STMicroelectronics


関連ページ

お得な情報をいち早く受け取ろう

Emailアドレス

お客様の個人情報は、当社のプライバシーポリシーに従って慎重に取り扱いを行います。