IXYS TO-268 IGBT 1200 V, 50 A, 3-Pin
- RS品番:
- 192-635
- メーカー型番:
- IXGT30N120B3D1
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
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個 | 単価 |
|---|---|
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- RS品番:
- 192-635
- メーカー型番:
- IXGT30N120B3D1
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | IXYS | |
| 最大連続コレクタ電流 | 50 A | |
| 最大コレクタ- エミッタ間電圧 | 1200 V | |
| パッケージタイプ | TO-268 | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 3 | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 寸法 | 16.05 x 14 x 5.1mm | |
| 動作温度 Max | +150 °C | |
| 動作温度 Min | -55 °C | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド IXYS | ||
最大連続コレクタ電流 50 A | ||
最大コレクタ- エミッタ間電圧 1200 V | ||
パッケージタイプ TO-268 | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
ピン数 3 | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
寸法 16.05 x 14 x 5.1mm | ||
動作温度 Max +150 °C | ||
動作温度 Min -55 °C | ||
IXYS IGBT ディスクリート
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
IGBTディスクリート&モジュール、IXYS
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。