IXYS Y3 DCB IGBTモジュール, Nチャンネル 1200 V, 270 A, 7-Pin
- RS品番:
- 193-650
- メーカー型番:
- MII200-12A4
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
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- RS品番:
- 193-650
- メーカー型番:
- MII200-12A4
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | IXYS | |
| 最大連続コレクタ電流 | 270 A | |
| 最大コレクタ- エミッタ間電圧 | 1200 V | |
| 最大ゲート-エミッタ間電圧 | ±20V | |
| パッケージタイプ | Y3 DCB | |
| 回路構成 | シリーズ | |
| 実装タイプ | スクリュー マウント | |
| チャンネルタイプ | N | |
| ピン数 | 7 | |
| トランジスタ構成 | シリーズ | |
| 寸法 | 110 x 62 x 30mm | |
| 動作温度 Min | -40 °C | |
| 動作温度 Max | +150 °C | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド IXYS | ||
最大連続コレクタ電流 270 A | ||
最大コレクタ- エミッタ間電圧 1200 V | ||
最大ゲート-エミッタ間電圧 ±20V | ||
パッケージタイプ Y3 DCB | ||
回路構成 シリーズ | ||
実装タイプ スクリュー マウント | ||
チャンネルタイプ N | ||
ピン数 7 | ||
トランジスタ構成 シリーズ | ||
寸法 110 x 62 x 30mm | ||
動作温度 Min -40 °C | ||
動作温度 Max +150 °C | ||
IGBTモジュール、IXYS
IGBTディスクリート&モジュール、IXYS
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。