インフィニオン TO-247AC IGBT, Nチャンネル 600 V, 96 A, 3-Pin

Infineonの絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)には、さまざまな用途に対応できる充実したオプションが用意されています。 このIGBT製品は、効率が高いため、幅広い用途に用いることができます。また、スイッチング損失が少ないため、さまざまなスイッチング周波数に対応します。

ブリッジ構成で使うために超高速ソフトリカバリアンチパラレルダイオードと合わせてパッケージされたIGBT

この IGBT は、高性能パワーエレクトロニクス用途向けに設計された絶縁ゲートバイポーラトランジスタです。15.9 x 5.3 x 20.3 mm のコンパクトな寸法で、高電流負荷に対応しながら効率的な電子回路設計をサポートします。様々な電気システムでの信頼性の高い使用に最適化されており、厳しい条件下でも堅牢な機能を保証します。

• 低 VCE(on) により効率的なエネルギー変換が可能
• 最大定格電圧 600V で動作
• 低スイッチング損失でシステム全体の効率を向上
• 超高速ソフトリカバリーダイオードが性能の信頼性を向上
• 175℃ までの高温に耐える耐久設計

• モーター駆動制御およびインバーターに使用
• 産業機器の電源回路に最適
• ソーラーインバーターのような再生可能エネルギーシステムに最適
• 効率的な電力管理のためのオートメーションとロボットに効果的

IGBT は 96A の連続コレクタ電流を維持できるため、効率を維持しながら大きな電力伝送を必要とする要求の厳しい用途に適しています。

この最大定格電圧は、トランジスタが高電圧用途で効果的に動作することを保証し、電力システムの電圧スパイクや変動に対して安全なマージンを提供します。

熱抵抗は 0.45℃/W で、放熱が最適化されているため、過熱することなく安定した動作が可能で、長時間の使用でも信頼性が向上します。

その設計により並列動作での優れた電流共有が可能です。これは複数のデバイスを一緒に使用する高電流用途にとって非常に重要です。

IGBTトランジスタ、International Rectifier

International Rectifierは、スイッチング損失及び導電損失を最小限に抑えて、効率の向上、熱による問題の軽減、電力密度の向上を実現する様々な技術をベースに、300～1200 VのIGBT (絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)を幅広く提供しています。 また、中～高パワーモジュール専用のIGBTダイも各種取り揃えています。 最高の信頼性が求められるモジュールの場合は、はんだ濡れ性の前面金属(SFM)ダイを使用し、ワイヤのボンディング処理をなくすことで両面冷却を可能にして、熱的性能、信頼性、効率性を向上させることができます。