Infineon, IKW75N65EL5XKSA1 TO-247 IGBT, タイプNチャンネル 650 V, 75 A, 3-Pin スルーホール
- RS品番:
- 110-7176
- メーカー型番:
- IKW75N65EL5XKSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2 - 6 | ￥1,055.00 | ￥2,110 |
| 8 - 14 | ￥1,015.50 | ￥2,031 |
| 16 - 18 | ￥975.50 | ￥1,951 |
| 20 - 22 | ￥936.00 | ￥1,872 |
| 24 + | ￥896.00 | ￥1,792 |
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- RS品番:
- 110-7176
- メーカー型番:
- IKW75N65EL5XKSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| 最大連続コレクタ電流 Ic | 75A | |
| プロダクトタイプ | IGBT | |
| 最大コレクタエミッタ電圧 Vceo | 650V | |
| 最大許容損失Pd | 536W | |
| パッケージ型式 | TO-247 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ゲートエミッタ電圧VGEO | 20 V | |
| 最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT | 1.35V | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| シリーズ | TrenchStop | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 長さ | 16.13mm | |
| 高さ | 5.21mm | |
| 幅 | 21.1 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| エネルギー定格 | 7.22mJ | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
最大連続コレクタ電流 Ic 75A | ||
プロダクトタイプ IGBT | ||
最大コレクタエミッタ電圧 Vceo 650V | ||
最大許容損失Pd 536W | ||
パッケージ型式 TO-247 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
ピン数 3 | ||
最大ゲートエミッタ電圧VGEO 20 V | ||
最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT 1.35V | ||
動作温度 Min -40°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
シリーズ TrenchStop | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
長さ 16.13mm | ||
高さ 5.21mm | ||
幅 21.1 mm | ||
自動車規格 なし | ||
エネルギー定格 7.22mJ | ||
インフィニオン TrenchStop IGBTトランジスタ、600Vおよび650V
インフィニオンのIGBTトランジスタシリーズは、TrenchStopTM技術を採用した600Vおよび650Vのコレクタエミッタ定格電圧を備えています。このシリーズは、高速、高速回復の逆平行ダイオードを内蔵したデバイスを備えています。
• コレクタエミッタ電圧範囲：600 → 650V
• 超低VCEsat
• 低ターンオフ損失
• ショートテール電流
• 低 EMI
• 最高ジャンクション温度：175°C
IGBTディスクリート・モジュール、インフィニオン
絶縁ゲートバイポーラトランジスタまたはIGBTは、高効率と高速スイッチングを誇る3端子パワー半導体デバイスです。IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとスイッチ用のバイポーラパワートランジスタを1つのデバイスに組み合わせることで、MOSFETのシンプルなゲートドライブ特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせることができます。