Infineon, IGW75N60H3FKSA1 TO-247 IGBT, タイプNチャンネル 600 V, 75 A, 3-Pin スルーホール
- RS品番:
- 110-7445
- メーカー型番:
- IGW75N60H3FKSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2 - 6 | ￥1,067.00 | ￥2,134 |
| 8 - 14 | ￥1,027.50 | ￥2,055 |
| 16 - 18 | ￥989.50 | ￥1,979 |
| 20 - 22 | ￥950.00 | ￥1,900 |
| 24 + | ￥911.50 | ￥1,823 |
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- RS品番:
- 110-7445
- メーカー型番:
- IGW75N60H3FKSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | IGBT | |
| 最大連続コレクタ電流 Ic | 75A | |
| 最大コレクタエミッタ電圧 Vceo | 600V | |
| 最大許容損失Pd | 428W | |
| パッケージ型式 | TO-247 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT | 2.3V | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 最大ゲートエミッタ電圧VGEO | ±20 V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 幅 | 15.7 mm | |
| 高さ | 40.6mm | |
| 規格 / 承認 | JEDEC, RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| エネルギー定格 | 6.2mJ | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ IGBT | ||
最大連続コレクタ電流 Ic 75A | ||
最大コレクタエミッタ電圧 Vceo 600V | ||
最大許容損失Pd 428W | ||
パッケージ型式 TO-247 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
ピン数 3 | ||
最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT 2.3V | ||
動作温度 Min -40°C | ||
最大ゲートエミッタ電圧VGEO ±20 V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
幅 15.7 mm | ||
高さ 40.6mm | ||
規格 / 承認 JEDEC, RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
エネルギー定格 6.2mJ | ||
Infineon TrenchStop IGBTトランジスタ、600 / 650 V
InfineonのIGBTトランジスタは、600 / 650 Vのコレクタ-エミッタ間の定格電圧を備え、TrenchStop™技術を採用しています。この製品は、高速リカバリアンチパラレルダイオードを搭載したデバイスを含んでいます。
• コレクタ-エミッタ電圧範囲: 600 → 650 V
• VCEsatが非常に低い
• ターンオフ損失が低い
• ショートテール電流
• 低EMI
• 最大ジャンクション温度: 175 °C
IGBTディスクリート&モジュール、Infineon
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。