- RS品番:
- 110-7153
- メーカー型番:
- IGW15N120H3FKSA1
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
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単価: 購入単位は4個
¥614.50
(税抜)
¥675.95
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
---|---|---|
4 - 4 | ¥614.50 | ¥2,458.00 |
8 + | ¥596.75 | ¥2,387.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 110-7153
- メーカー型番:
- IGW15N120H3FKSA1
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
その他
詳細情報
Infineon TrenchStop IGBTトランジスタ、1100 → 1600 V
Infineonのコレクタ-エミッタ電圧の定格が1100 ~ 1600 VのIGBTトランジスタ製品です。TrenchStop™テクノロジーを使用しています。このシリーズには、高速度、高速回復アンチパラレルダイオード搭載の素子が含まれています。
コレクタ-エミッタ電圧範囲: 1100 →1600 V
超低VCEsat
低ターンオフ損失
短テール電流
低EMI
最大ジャンクション温度: 175 °C
超低VCEsat
低ターンオフ損失
短テール電流
低EMI
最大ジャンクション温度: 175 °C
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
IGBTディスクリート&モジュール、Infineon
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。
仕様
特性 | |
---|---|
最大連続コレクタ電流 | 15 A |
最大コレクタ- エミッタ間電圧 | 1200 V |
最大ゲート-エミッタ間電圧 | ±20V |
最大パワー消費 | 217 W |
パッケージタイプ | TO-247 |
実装タイプ | スルーホール |
チャンネルタイプ | N |
ピン数 | 3 |
トランジスタ構成 | シングル |
寸法 | 16.13 x 5.21 x 21.1mm |
エネルギー定格 | 2.5mJ |
動作温度 Max | +175 °C |
動作温度 Min | -40 °C |
ゲート静電容量 | 875pF |
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