インフィニオン AG-62MM-1 IGBTモジュール, Nチャンネル 1200 V, 580 A

このIGBTモジュールは、さまざまな産業用アプリケーションの性能を高めるために設計されています。106.4x61.4x30.9mmの寸法で、高効率と堅牢な仕様を兼ね備えており、最大連続コレクタ電流580A、コレクタ・エミッタ間定格電圧1200Vを提供する。パワーエレクトロニクス回路への効果的な統合を可能にする設計により、信頼性の高いモジュール型IGBTソリューションを必要とする企業にとって理想的な選択肢となります。

• 最大ゲート・エミッタ電圧±20Vの柔軟な操作性
• 2kWの高い電力消費能力で厳しい要件に対応
• パネルマウント用に設計されているため、さまざまな環境での設置が容易
• スペースと作業効率を最適化するシリーズ構成

• 産業機械用インバータ回路に使用
• ソーラーインバータなどの再生可能エネルギーシステムに最適化
• 電気自動車と推進システムに有効
• 大電流が不可欠なヘビーデューティ・オートメーション機器に使用

ジャンクションからケースまでの熱抵抗は0.062K/W、ケースからヒートシンクまでの熱抵抗は0.031K/Wで、動作中の効果的な放熱を確保している。

最高動作温度は+125℃、最低動作温度は-40℃で、多様な環境条件や要求の厳しい用途に適している。

最大連続コレクタ電流定格580Aは、このIGBTモジュールが大きな電力負荷を処理できることを意味し、産業環境における大電流IGBTアプリケーションに理想的です。

そう、28nFという低いゲート・キャパシタンスと指定されたゲート・ドライブ能力により、効率的な高速スイッチングが可能になり、回路のパワーエレクトロニクス・コンポーネントの性能が向上する。

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

IGBTディスクリート&モジュール、Infineon

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。