onsemi TO-3PF IGBT, タイプNチャンネル 600 V, 80 A, 3-Pin スルーホール

ボリュームディスカウント対象商品

1 本(1本30個入り) 小計:*

¥15,792.00

(税抜)

¥17,371.20

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 180 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
1チューブあたりの価格*
30 - 120¥526.40¥15,792
150 - 270¥520.433¥15,613
300 - 720¥510.567¥15,317
750 - 1470¥499.70¥14,991
1500 +¥489.833¥14,695

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
124-1396
メーカー型番:
FGAF40N60SMD
メーカー/ブランド名:
onsemi
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

onsemi

最大連続コレクタ電流 Ic

80A

プロダクトタイプ

IGBT

最大コレクタエミッタ電圧 Vceo

600V

最大許容損失Pd

115W

パッケージ型式

TO-3PF

取付タイプ

スルーホール

チャンネルタイプ

タイプN

ピン数

3

スイッチングスピード

1MHz

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートエミッタ電圧VGEO

20 V

最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT

1.9V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

シリーズ

Field Stop

自動車規格

なし

ディスクリートIGBT、Fairchild Semiconductor


IGBTディスクリート / モジュール、Fairchild Semiconductor


絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


関連ページ