Infineon TO-220 IGBT, タイプNチャンネル, 600 V, 12 A, 3ピン

ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示

1 本(1本50個入り) 小計:*

¥6,554.00

(税抜)

¥7,209.50

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 250 2026年7月13日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

単価
1チューブあたりの価格*
50 - 200¥131.08¥6,554
250 - 450¥128.70¥6,435
500 - 1200¥121.68¥6,084
1250 - 2450¥118.08¥5,904
2500 +¥115.12¥5,756

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
145-8585
メーカー型番:
IKP06N60TXKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

IGBT

最大連続コレクタ電流 Ic

12A

最大コレクタエミッタ電圧 Vceo

600V

最大許容損失Pd

88W

パッケージ型式

TO-220

取付タイプ

スルーホール

チャンネルタイプ

タイプN

ピン数

3

最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT

2.05V

動作温度 Min

-40°C

最大ゲートエミッタ電圧VGEO

20 V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

JEDEC, RoHS

シリーズ

TrenchStop

自動車規格

なし

エネルギー定格

0.335mJ

COO(原産国):
MY

インフィニオン TrenchStop IGBTトランジスタ、600Vおよび650V


インフィニオンのIGBTトランジスタシリーズは、TrenchStopTM技術を採用した600Vおよび650Vのコレクタエミッタ定格電圧を備えています。このシリーズは、高速、高速回復の逆平行ダイオードを内蔵したデバイスを備えています。

• コレクタエミッタ電圧範囲:600 → 650V

• 超低VCEsat

• 低ターンオフ損失

• ショートテール電流

• 低 EMI

• 最高ジャンクション温度:175°C

IGBTディスクリート・モジュール、インフィニオン


絶縁ゲートバイポーラトランジスタまたはIGBTは、高効率と高速スイッチングを誇る3端子パワー半導体デバイスです。IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとスイッチ用のバイポーラパワートランジスタを1つのデバイスに組み合わせることで、MOSFETのシンプルなゲートドライブ特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせることができます。

関連ページ

お得な情報をいち早く受け取ろう

Emailアドレス

お客様の個人情報は、当社のプライバシーポリシーに従って慎重に取り扱いを行います。