Infineon Nチャンネル IGBT 600 V 8.5 A, 3-Pin TO-220AB シングル

高速応答を伴う中波用途向けに最適化されたIGBTにより、効率が最大限に高くなります。 このデバイスは、IGBTが最高の性能を発揮するように、最適化されたFREDダイオードを利用しています。

IGBTトランジスタ、International Rectifier

International Rectifierは、スイッチング損失及び導電損失を最小限に抑えて、効率の向上、熱による問題の軽減、電力密度の向上を実現する様々な技術をベースに、300～1200 VのIGBT (絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)を幅広く提供しています。 また、中～高パワーモジュール専用のIGBTダイも各種取り揃えています。 最高の信頼性が求められるモジュールの場合は、はんだ濡れ性の前面金属(SFM)ダイを使用し、ワイヤのボンディング処理をなくすことで両面冷却を可能にして、熱的性能、信頼性、効率性を向上させることができます。