IXYS, IXYN82N120C3H1 SOT-227B IGBT, タイプNチャンネル 1200 V, 105 A, 4-Pin 表面

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RS品番:
146-1762
メーカー型番:
IXYN82N120C3H1
メーカー/ブランド名:
IXYS
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ブランド

IXYS

最大連続コレクタ電流 Ic

105A

プロダクトタイプ

IGBT

最大コレクタエミッタ電圧 Vceo

1200V

最大許容損失Pd

500W

パッケージ型式

SOT-227B

取付タイプ

表面

チャンネルタイプ

タイプN

ピン数

4

スイッチングスピード

50kHz

最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT

3.2V

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートエミッタ電圧VGEO

±20 V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

シリーズ

GenX3TM

エネルギー定格

800mJ

自動車規格

なし

COO（原産国）:
US

IGBTディスクリート、IXYS XPTシリーズ


IXYSのXPT™シリーズのディスクリートIGBTは、極めて軽量な穴開き薄型ウエハーテクノロジーを採用しており、熱抵抗の低減とエネルギー損失の軽減を実現しています。 これらのデバイスでは、低テール電流によって高速なスイッチングが可能です。また、さまざまな業界の規格と独自仕様に沿ったパッケージが用意されています。

高電力密度及び低VCE (sat)

逆バイアス安全動作領域(RBSOA)を定格降伏電圧に向かって直角になるように形成

10 μsの短絡耐量

オン状態電圧の正温度係数

オプションのSonic-FRD™又はHiPerFRED™ダイオード付属

国際規格及び独自仕様の高電圧パッケージ

IGBTディスクリート&モジュール、IXYS


絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

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