IXYS Nチャンネル IGBT 1200 V 134 A, 4-Pin SOT-227B シングル
- RS品番:
- 168-4762
- メーカー型番:
- IXYN100N120C3H1
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
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単価: 購入単位は10個
¥7,324.70
(税抜)
¥8,057.17
(税込)
個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
---|---|---|
10 - 40 | ¥7,324.70 | ¥73,247.00 |
50 - 90 | ¥7,178.10 | ¥71,781.00 |
100 - 240 | ¥7,034.50 | ¥70,345.00 |
250 - 490 | ¥6,893.80 | ¥68,938.00 |
500 + | ¥6,755.90 | ¥67,559.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 168-4762
- メーカー型番:
- IXYN100N120C3H1
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
データシート
その他
- COO(原産国):
- US
詳細情報
IGBTディスクリート、IXYS XPTシリーズ
IXYSのXPT™シリーズのディスクリートIGBTは、極めて軽量な穴開き薄型ウエハーテクノロジーを採用しており、熱抵抗の低減とエネルギー損失の軽減を実現しています。 これらのデバイスでは、低テール電流によって高速なスイッチングが可能です。また、さまざまな業界の規格と独自仕様に沿ったパッケージが用意されています。
高電力密度及び低VCE (sat)
逆バイアス安全動作領域(RBSOA)を定格降伏電圧に向かって直角になるように形成
10 μsの短絡耐量
オン状態電圧の正温度係数
オプションのSonic-FRD™又はHiPerFRED™ダイオード付属
国際規格及び独自仕様の高電圧パッケージ
逆バイアス安全動作領域(RBSOA)を定格降伏電圧に向かって直角になるように形成
10 μsの短絡耐量
オン状態電圧の正温度係数
オプションのSonic-FRD™又はHiPerFRED™ダイオード付属
国際規格及び独自仕様の高電圧パッケージ
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
IGBTディスクリート&モジュール、IXYS
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。
仕様
特性 | |
---|---|
最大連続コレクタ電流 | 134 A |
最大コレクタ- エミッタ間電圧 | 1200 V |
最大ゲート-エミッタ間電圧 | ±20V |
最大パワー消費 | 690 W |
パッケージタイプ | SOT-227B |
実装タイプ | 表面実装 |
チャンネルタイプ | N |
ピン数 | 4 |
スイッチングスピード | 20 → 50kHz |
トランジスタ構成 | シングル |
寸法 | 38.2 x 25 x 9.6mm |
動作温度 Min | -55 °C |
動作温度 Max | +150 °C |
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