Infineon AG-PRIME3-1 IGBTモジュール, タイプNチャンネル 1200 V, 1400 A クランプ

ボリュームディスカウント対象商品

1 トレイ(1トレイ2個入り) 小計:*

¥208,052.00

(税抜)

¥228,857.20

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2028年2月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
購入単位毎合計*
2 - 2¥104,026.00¥208,052
4 - 18¥103,858.50¥207,717
20 - 28¥102,644.50¥205,289
30 - 38¥101,431.00¥202,862
40 +¥100,218.50¥200,437

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
166-0887
メーカー型番:
FF1400R12IP4BOSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

IGBTモジュール

最大連続コレクタ電流 Ic

1400A

最大コレクタエミッタ電圧 Vceo

1200V

最大許容損失Pd

7.65kW

パッケージ型式

AG-PRIME3-1

取付タイプ

クランプ

チャンネルタイプ

タイプN

スイッチングスピード

0.97μs

動作温度 Min

-40°C

最大ゲートエミッタ電圧VGEO

20 V

最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT

2.15V

動作温度 Max

150°C

高さ

38mm

規格 / 承認

EN 61140

長さ

250mm

自動車規格

なし

RoHSステータス: 該当なし

COO(原産国):
MY

Infineon IGBTモジュール


Infineon

TM

TMTMTM

IGBTディスクリート・モジュール、インフィニオン


絶縁ゲートバイポーラトランジスタまたはIGBTは、高効率と高速スイッチングを誇る3端子パワー半導体デバイスです。IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとスイッチ用のバイポーラパワートランジスタを1つのデバイスに組み合わせることで、MOSFETのシンプルなゲートドライブ特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせることができます。

関連ページ