IXYS TO-247 高速IGBT, タイプNチャンネル 1200 V, 66 A, 3-Pin スルーホール
- RS品番:
- 168-4779
- メーカー型番:
- IXYH30N120C3D1
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
ボリュームディスカウント対象商品
1 本(1本30個入り) 小計：*
￥29,886.00
(税抜)
￥32,874.60
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 150 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | ￥996.20 | ￥29,886 |
| 150 - 270 | ￥993.333 | ￥29,800 |
| 300 - 720 | ￥990.367 | ￥29,711 |
| 750 - 1470 | ￥987.567 | ￥29,627 |
| 1500 + | ￥983.70 | ￥29,511 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 168-4779
- メーカー型番:
- IXYH30N120C3D1
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | IXYS | |
| 最大連続コレクタ電流 Ic | 66A | |
| プロダクトタイプ | 高速IGBT | |
| 最大コレクタエミッタ電圧 Vceo | 1200V | |
| 最大許容損失Pd | 416W | |
| パッケージ型式 | TO-247 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| ピン数 | 3 | |
| スイッチングスピード | 50kHz | |
| 最大ゲートエミッタ電圧VGEO | ±20 V | |
| 最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT | 3.3V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 20.32mm | |
| 幅 | 16.26 mm | |
| シリーズ | GenX3TM | |
| 規格 / 承認 | International Standard Package | |
| 自動車規格 | なし | |
| エネルギー定格 | 400mJ | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド IXYS | ||
最大連続コレクタ電流 Ic 66A | ||
プロダクトタイプ 高速IGBT | ||
最大コレクタエミッタ電圧 Vceo 1200V | ||
最大許容損失Pd 416W | ||
パッケージ型式 TO-247 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
ピン数 3 | ||
スイッチングスピード 50kHz | ||
最大ゲートエミッタ電圧VGEO ±20 V | ||
最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT 3.3V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 20.32mm | ||
幅 16.26 mm | ||
シリーズ GenX3TM | ||
規格 / 承認 International Standard Package | ||
自動車規格 なし | ||
エネルギー定格 400mJ | ||
- COO（原産国）:
- US
IGBTディスクリート、IXYS XPTシリーズ
IXYSのXPT™シリーズのディスクリートIGBTは、極めて軽量な穴開き薄型ウエハーテクノロジーを採用しており、熱抵抗の低減とエネルギー損失の軽減を実現しています。 これらのデバイスでは、低テール電流によって高速なスイッチングが可能です。また、さまざまな業界の規格と独自仕様に沿ったパッケージが用意されています。
高電力密度及び低VCE (sat)
逆バイアス安全動作領域(RBSOA)を定格降伏電圧に向かって直角になるように形成
10 μsの短絡耐量
オン状態電圧の正温度係数
オプションのSonic-FRD™又はHiPerFRED™ダイオード付属
国際規格及び独自仕様の高電圧パッケージ
IGBTディスクリート&モジュール、IXYS
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。