onsemi DPAK (TO-252) IGBT, Nチャンネル 300 V, 41 A, 3-Pin
- RS品番:
- 178-7564
- メーカー型番:
- FGD3040G2-F085
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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|---|---|---|
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| 5000 - 22500 | ¥102.877 | ¥257,193 |
| 25000 - 35000 | ¥102.365 | ¥255,913 |
| 37500 - 47500 | ¥101.853 | ¥254,633 |
| 50000 + | ¥101.341 | ¥253,353 |
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- RS品番:
- 178-7564
- メーカー型番:
- FGD3040G2-F085
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| 最大連続コレクタ電流 | 41 A | |
| 最大コレクタ- エミッタ間電圧 | 300 V | |
| 最大ゲート-エミッタ間電圧 | ±10V | |
| 最大パワー消費 | 150 W | |
| パッケージタイプ | DPAK (TO-252) | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| チャンネルタイプ | N | |
| ピン数 | 3 | |
| スイッチングスピード | 1MHz | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 寸法 | 6.73 x 6.22 x 2.39mm | |
| 動作温度 Min | -55 °C | |
| 動作温度 Max | +175 °C | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
最大連続コレクタ電流 41 A | ||
最大コレクタ- エミッタ間電圧 300 V | ||
最大ゲート-エミッタ間電圧 ±10V | ||
最大パワー消費 150 W | ||
パッケージタイプ DPAK (TO-252) | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
チャンネルタイプ N | ||
ピン数 3 | ||
スイッチングスピード 1MHz | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
寸法 6.73 x 6.22 x 2.39mm | ||
動作温度 Min -55 °C | ||
動作温度 Max +175 °C | ||
車載用イグニッションIGBT、Fairchild Semiconductor
この EcoSPARK IGBTデバイスは、車載用イグニッションコイルの駆動用に最適化されています。ストレステスト済みで、AEC-Q101規格に適合しています。
特長
ロジックレベルゲートドライブ
ESD保護
用途: 車載用イグニッションコイルドライバ回路、コイルオンプラグ用途
ESD保護
用途: 車載用イグニッションコイルドライバ回路、コイルオンプラグ用途
RS製品コード
864-8802 FGB3040CS 400 V 20 A D2PAK
864-8805 FGB3040G2_F085 400 V 25 A DPAK-2
807-0767 FGD3040G2_F085 400 V 25 A DPAK
864-8880 FGI3040G2_F085 400 V 25 A I2PAK
864-8899 FGP3040G2_F085 400 V 25 A TO220
864-8809 FGB3245G2_F085 450 V 23 A D2PAK-2
864-8827 FGD3245G2_F085 450 V 23 A DPAK
807-0776 FGD3440G2_F085 400 V 25 A DPAK
864-8818 FGB3440G2_F085 400 V 25 A D2PAK-2
864-8893 FGP3440G2_F085 400 V 25 A TO220
807-8751 ISL9V5036P3_F085 360V 31A TO220
862-9369 ISL9V5045S3ST_F085 450V 43A D2PAK
備考
掲載されている電流定格はジャンクション温度Tc = +110 °Cの場合です。
規格
AEC-Q101
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
IGBTディスクリート / モジュール、Fairchild Semiconductor
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。
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