onsemi TO-252 Ignition IGBT, タイプNチャンネル, 430 V, 21 A, 3ピン

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梱包形態
RS品番:
807-8758
メーカー型番:
ISL9V3040D3ST
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

Ignition IGBT

最大連続コレクタ電流 Ic

21A

最大コレクタエミッタ電圧 Vceo

430V

最大許容損失Pd

150W

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

チャンネルタイプ

タイプN

ピン数

3

スイッチングスピード

1MHz

最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT

2.2V

最大ゲートエミッタ電圧VGEO

±10 V

動作温度 Min

-40°C

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

シリーズ

EcoSPARK

自動車規格

AEC-Q101

エネルギー定格

300mJ

ディスクリートIGBT、Fairchild Semiconductor


IGBTディスクリート / モジュール、Fairchild Semiconductor


絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。

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