Infineon Nチャンネル IGBT 650 V 80 A, 3-Pin PG-TO247 1

Infineon IKW50N65EH5 は、 650 V の高速ハードスイッチング IGBT で、 Rapid si ダイオード技術を組み合わせて使用します。電力密度が高く、 CoE/eOSS が低くなっています。

係数 2.5 低 Qg
スイッチング損失の低減ファクタ 2
VCEsat が 200 mV 低減

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