STMicroelectronics IGBT 1200 V 150 A, 3-Pin 最大247
- RS品番:
- 234-8894
- メーカー型番:
- STGYA75H120DF2
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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|---|---|
| 1 - 6 | ￥2,026.00 |
| 7 - 13 | ￥1,968.00 |
| 14 - 18 | ￥1,808.00 |
| 19 - 24 | ￥1,558.00 |
| 25 + | ￥1,506.00 |
- RS品番:
- 234-8894
- メーカー型番:
- STGYA75H120DF2
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
その他
詳細情報
STMicroelectronics IGBTは、独自の先進的なトレンチゲートフィールドストップ構造を使用して開発されています。このデバイスは、高スイッチング周波数コンバータの効率を最大化するために、導通損失とスイッチング損失の最適な妥協点を示すIGBTのHシリーズに属します。さらに、VCE(sat)の温度係数がわずかに正であり、パラメータ分布が非常にタイトであるため、より安全な並列運転が可能です。
最高接合部温度TJ = 175°C
5μsの短絡耐性時間
VCE(sat) = 2.1 V (標準) @ IC= 75A
タイトなパラメータ分配、
正VCE(sat)温度係数、
低熱抵抗、
超高速回復型逆並列ダイオード
5μsの短絡耐性時間
VCE(sat) = 2.1 V (標準) @ IC= 75A
タイトなパラメータ分配、
正VCE(sat)温度係数、
低熱抵抗、
超高速回復型逆並列ダイオード
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
|---|---|
| 最大連続コレクタ電流 | 150 A |
| 最大コレクタ- エミッタ間電圧 | 1200 V |
| 最大ゲート-エミッタ間電圧 | ±20V |
| 最大パワー消費 | 750 W |
| パッケージタイプ | 最大247 |
| 実装タイプ | スルーホール |
| ピン数 | 3 |
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