onsemi, FGHL50T65MQDT TO-247-3L IGBT 650 V, 3-Pin 表面
- RS品番:
- 241-0732
- メーカー型番:
- FGHL50T65MQDT
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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個 | 単価 |
|---|---|
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| 25 - 214 | ￥793 |
| 215 - 279 | ￥688 |
| 280 - 359 | ￥570 |
| 360 + | ￥456 |
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- RS品番:
- 241-0732
- メーカー型番:
- FGHL50T65MQDT
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | IGBT | |
| 最大コレクタエミッタ電圧 Vceo | 650V | |
| 最大許容損失Pd | 268W | |
| パッケージ型式 | TO-247-3L | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ゲートエミッタ電圧VGEO | 20 V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 幅 | 20.82 mm | |
| 高さ | 4.82mm | |
| 長さ | 15.87mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| シリーズ | FGHL50T65MQDT | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ IGBT | ||
最大コレクタエミッタ電圧 Vceo 650V | ||
最大許容損失Pd 268W | ||
パッケージ型式 TO-247-3L | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ゲートエミッタ電圧VGEO 20 V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
幅 20.82 mm | ||
高さ 4.82mm | ||
長さ 15.87mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
シリーズ FGHL50T65MQDT | ||
自動車規格 なし | ||
ON Semiconductor 650 V、50 A FS4中速スイッチングIGBTです。これは、Vce(sat)とEoff損失のバランスと制御可能なターンオフVceオーバーシュートにより、最適な性能を提供します。ソーラーインバータ、UPS、EV充電ステーション、ESS、その他の高性能電力変換用途に最適です。
正の温度係数
容易な並列動作
低スイッチング損失
低伝導損失