Infineon IGBTモジュール, 1.2 kV

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RS品番:
244-5391
メーカー型番:
FP25R12W2T4B11BOMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

IGBTモジュール

最大コレクタエミッタ電圧 Vceo

1.2kV

最大許容損失Pd

175W

トランジスタ数

7

動作温度 Min

-40°C

最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT

2.25V

最大ゲートエミッタ電圧VGEO

20 V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

幅

42.5mm

シリーズ

FP25R12W2T4B11B

高さ

12mm

長さ

51mm

自動車規格

なし

Infineon FP25R12W2T4B11BシリーズIGBTモジュール、最大消費電力175W、最大コレクタエミッタ電圧1200V - FP25R12W2T4B11BOMA1


このIGBTモジュールは、要求の厳しい産業用途向けに設計された高電圧電源スイッチングデバイスです。複数のトランジスタを1つのパッケージに組み合わせて、幅広い温度範囲で動作しながら高いコレクタエミッタ電圧と大きな消費電力を管理します。

特長:


• 高電圧システム向けの1200Vコレクタエミッタ電圧に対応
• 175Wの最大消費電力を管理し、持続的な負荷を実現
• 高温デューティサイクルで150°Cまで動作
• 1つのモジュールに7つのトランジスタを搭載し、回路設計を簡素化
• 低飽和電圧2.25Vにより、導通損失を低減
• ゲートエミッタ定格 20V により、一般的なドライブレベルに対応

用途


• 高電圧スイッチングが必要な産業用モータドライブに適合
• 再生可能エネルギーシステムの電力コンバータに最適
• 大規模HVAC設備のインバータステージで使用
• トラクション補助電力システムに使用可能
• 重工業の高温環境に最適

どのような環境範囲に耐えられますか?


-40°C~150°Cまで動作するように設定されています。

ゲートエミッタ制限はドライバ選択にどのように影響しますか?


過度のストレスを避けるため、ゲートドライバは20Vのゲートエミッタ定格を超えないでください。

導通時のエネルギー損失を低減する電気的特性とは?


このモジュールのコレクタエミッタ飽和電圧は2.25 Vで、伝導損失を制限します。

パッケージには、どれくらいのスイッチングエレメントが内蔵されていますか?


このモジュールには、1つのエンクロージャ内に7つのディスクリートトランジスタが含まれています。

この製品は、環境制限のある製造に適していますか?


RoHS要件に適合しているため、鉛フリープロセスの制限に適合しています。

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