インフィニオン IGBTモジュール 1200 V, 75 A
- RS品番:
- 244-5835
- メーカー型番:
- FP50R12KE3BOSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 244-5835
- メーカー型番:
- FP50R12KE3BOSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| 最大連続コレクタ電流 | 75 A | |
| 最大コレクタ- エミッタ間電圧 | 1200 V | |
| 最大ゲート-エミッタ間電圧 | ±20V | |
| 最大パワー消費 | 280 W | |
| トランジスタ数 | 7 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
最大連続コレクタ電流 75 A | ||
最大コレクタ- エミッタ間電圧 1200 V | ||
最大ゲート-エミッタ間電圧 ±20V | ||
最大パワー消費 280 W | ||
トランジスタ数 7 | ||
Infineon IGBTモジュールの最大定格コレクタエミッタ電圧は1200 Vで、全消費電力は280 Wで、最大ゲートしきい値電圧は6.5 Vです。
内部絶縁：基本絶縁(クラス1、IEC61140)
ゲートエミッタ間ピーク電圧：+/- 20 V
コレクタエミッタ間飽和電圧：2.15 V
ゲートエミッタ間リーク電流：400 nA
ゲートエミッタ間ピーク電圧：+/- 20 V
コレクタエミッタ間飽和電圧：2.15 V
ゲートエミッタ間リーク電流：400 nA