Infineon, FP75R12KT4BOSA1 EconoPIM IGBTモジュール 1200 V
- RS品番:
- 244-5854
- メーカー型番:
- FP75R12KT4BOSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 244-5854
- メーカー型番:
- FP75R12KT4BOSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | IGBTモジュール | |
| 最大コレクタエミッタ電圧 Vceo | 1200V | |
| 最大許容損失Pd | 385W | |
| トランジスタ数 | 7 | |
| パッケージ型式 | EconoPIM | |
| 最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT | 2.15V | |
| 最大ゲートエミッタ電圧VGEO | 20 V | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 122mm | |
| 高さ | 17mm | |
| シリーズ | FP75R12KT4B | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 幅 | 62.5 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ IGBTモジュール | ||
最大コレクタエミッタ電圧 Vceo 1200V | ||
最大許容損失Pd 385W | ||
トランジスタ数 7 | ||
パッケージ型式 EconoPIM | ||
最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT 2.15V | ||
最大ゲートエミッタ電圧VGEO 20 V | ||
動作温度 Min -40°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 122mm | ||
高さ 17mm | ||
シリーズ FP75R12KT4B | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
幅 62.5 mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon IGBTモジュールの最大定格コレクタエミッタ電圧は1200 Vで、全消費電力は385 Wで、最大ゲートしきい値電圧は6.4 Vです。
内部絶縁:基本絶縁(クラス1、IEC61140)
ゲートエミッタ間ピーク電圧:+/- 20 V
コレクタエミッタ間飽和電圧:2.15 V
ゲートエミッタ間リーク電流:400 nA
