インフィニオン IGBTモジュール 650 V, 40 A、70 A
- RS品番:
- 248-1195
- メーカー型番:
- DF200R07W2H3B77BPSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | ￥7,674.267 | ￥115,114 |
| 75 - 135 | ￥7,596.933 | ￥113,954 |
| 150 - 360 | ￥7,444.933 | ￥111,674 |
| 375 - 735 | ￥7,295.667 | ￥109,435 |
| 750 + | ￥7,149.733 | ￥107,246 |
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- RS品番:
- 248-1195
- メーカー型番:
- DF200R07W2H3B77BPSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| 最大連続コレクタ電流 | 40 A、70 A | |
| 最大コレクタ- エミッタ間電圧 | 650 V | |
| 最大ゲート-エミッタ間電圧 | ±20V | |
| トランジスタ数 | 4 | |
| 最大パワー消費 | 20 mW | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
最大連続コレクタ電流 40 A、70 A | ||
最大コレクタ- エミッタ間電圧 650 V | ||
最大ゲート-エミッタ間電圧 ±20V | ||
トランジスタ数 4 | ||
最大パワー消費 20 mW | ||
Infineon のEasyPACK 2B 650V、100A 3レベルIGBTモジュールは、Trench/Fieldstop IGBT H3、高速ダイオード、PressFIT/NTCを搭載しています。このデバイスは、使いやすさ、コンパクト設計、最適化された性能を提供しています。最大650Vまでの耐圧能力向上、低誘導性設計、低スイッチング損失、低VCE,satなどの特長があります。低熱抵抗のAl2O3基板とPressFITコンタクト技術を使用しています。このデバイスは、マウントクランプを内蔵し、堅牢な実装が可能です。昇圧構成で、IGBT HighSpeed 3技術を採用しています。
システムコストを低減する、最高のコストパフォーマンスを実現
高い設計自由度
高いレベルの効率と電力密度
高い設計自由度
高いレベルの効率と電力密度