Bourns TO-247 IGBT 650 V, 50 A
- RS品番:
- 253-3509
- メーカー型番:
- BIDW50N65T
- メーカー/ブランド名:
- Bourns
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2 - 28 | ￥622.50 | ￥1,245 |
| 30 - 278 | ￥571.00 | ￥1,142 |
| 280 - 378 | ￥519.50 | ￥1,039 |
| 380 - 478 | ￥468.00 | ￥936 |
| 480 + | ￥416.50 | ￥833 |
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- RS品番:
- 253-3509
- メーカー型番:
- BIDW50N65T
- メーカー/ブランド名:
- Bourns
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Bourns | |
| 最大連続コレクタ電流 | 50 A | |
| 最大コレクタ- エミッタ間電圧 | 650 V | |
| 最大ゲート-エミッタ間電圧 | ±20V | |
| 最大パワー消費 | 416 W | |
| トランジスタ数 | 1 | |
| パッケージタイプ | TO-247 | |
| 回路構成 | シングルダイオード | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Bourns | ||
最大連続コレクタ電流 50 A | ||
最大コレクタ- エミッタ間電圧 650 V | ||
最大ゲート-エミッタ間電圧 ±20V | ||
最大パワー消費 416 W | ||
トランジスタ数 1 | ||
パッケージタイプ TO-247 | ||
回路構成 シングルダイオード | ||
Bourns IGBTデバイスは、MOSゲートとバイポーラトランジスタの技術を組み合わせて、高電圧及び高電流用途に最適なコンポーネントを提供します。このデバイスは、トレンチゲートフィールドストップ技術を採用し、低コレクタエミッタ飽和電圧(VCE(sat))とスイッチング損失の低減により、ダイナミック特性をより大きく制御できます。さらに、この構造により、低い熱抵抗R(th)を実現します。
650 V、50 A、低コレクタエミッタ飽和電圧(VCE(sat))
トレンチゲートフィールドストップ技術、
伝導に最適化
RoHS準拠
トレンチゲートフィールドストップ技術、
伝導に最適化
RoHS準拠