インフィニオン PG-TO263-7 IGBTモジュール
- RS品番:
- 258-3756
- メーカー型番:
- IMBG120R350M1HXTMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
1 リール(1リール1000個入り) 小計：*
￥328,750.00
(税抜)
￥361,620.00
(税込)
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一時的に在庫切れ
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | ￥328.75 | ￥328,750 |
| 2000 - 9000 | ￥324.828 | ￥324,828 |
| 10000 - 14000 | ￥320.897 | ￥320,897 |
| 15000 - 19000 | ￥316.979 | ￥316,979 |
| 20000 + | ￥313.049 | ￥313,049 |
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- RS品番:
- 258-3756
- メーカー型番:
- IMBG120R350M1HXTMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| パッケージタイプ | PG-TO263-7 | |
| すべて選択 | ||
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ブランド インフィニオン | ||
パッケージタイプ PG-TO263-7 | ||
Infineon CoolSiC1200 V、350 mΩ SiC MOSFETは、D2PAK-7Lパッケージに収められており、最先端のトレンチ半導体プロセスに基づいて構築されており、性能と動作の信頼性を兼ね備えています。CoolSiC技術の低電力損失と新しい1200 V最適化SMDパッケージのXT相互接続技術の組み合わせにより、ドライブ、充電器、産業用電源などの用途で最高の効率とパッシブ冷却ポテンシャルを実現します。
非常に低いスイッチング損失
短絡耐久時間: 3 μs
完全に制御可能なdV/dt
効率の向上
より高い周波数を実現
電力密度の向上
短絡耐久時間: 3 μs
完全に制御可能なdV/dt
効率の向上
より高い周波数を実現
電力密度の向上