Infineon, IMBG120R350M1HXTMA1 TO-263 IGBTモジュール, 4.7 A
- RS品番:
- 258-3757
- メーカー型番:
- IMBG120R350M1HXTMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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個 | 単価 |
|---|---|
| 1 - 29 | ￥816 |
| 30 - 299 | ￥727 |
| 300 - 399 | ￥637 |
| 400 - 799 | ￥550 |
| 800 + | ￥461 |
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- RS品番:
- 258-3757
- メーカー型番:
- IMBG120R350M1HXTMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| 最大連続コレクタ電流 Ic | 4.7A | |
| プロダクトタイプ | IGBTモジュール | |
| 最大許容損失Pd | 65W | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | JEDEC47/20/22 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
最大連続コレクタ電流 Ic 4.7A | ||
プロダクトタイプ IGBTモジュール | ||
最大許容損失Pd 65W | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 JEDEC47/20/22 | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon CoolSiC1200 V、350 mΩ SiC MOSFETは、D2PAK-7Lパッケージに収められており、最先端のトレンチ半導体プロセスに基づいて構築されており、性能と動作の信頼性を兼ね備えています。CoolSiC技術の低電力損失と新しい1200 V最適化SMDパッケージのXT相互接続技術の組み合わせにより、ドライブ、充電器、産業用電源などの用途で最高の効率とパッシブ冷却ポテンシャルを実現します。
非常に低いスイッチング損失
短絡耐久時間: 3 μs
完全に制御可能なdV/dt
効率の向上
より高い周波数を実現
電力密度の向上