インフィニオン PG-TO247-3 IGBTモジュール 650 V, 80 A
- RS品番:
- 259-1532
- メーカー型番:
- IKW50N65F5FKSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | ￥369.133 | ￥11,074 |
| 150 - 270 | ￥357.80 | ￥10,734 |
| 300 - 720 | ￥339.133 | ￥10,174 |
| 750 - 1470 | ￥329.50 | ￥9,885 |
| 1500 + | ￥319.833 | ￥9,595 |
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- RS品番:
- 259-1532
- メーカー型番:
- IKW50N65F5FKSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| 最大連続コレクタ電流 | 80 A | |
| 最大コレクタ- エミッタ間電圧 | 650 V | |
| 最大ゲート-エミッタ間電圧 | ±20V | |
| 最大パワー消費 | 305 W | |
| パッケージタイプ | PG-TO247-3 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
最大連続コレクタ電流 80 A | ||
最大コレクタ- エミッタ間電圧 650 V | ||
最大ゲート-エミッタ間電圧 ±20V | ||
最大パワー消費 305 W | ||
パッケージタイプ PG-TO247-3 | ||
Infineon高速ハードスイッチングIGBTは、TO-247パッケージのRAPID 1高速ソフトアンチパラレルダイオードと共にパッケージされており、「クラス最高」IGBTとして定義されています。クラス最高の効率を発揮し、ジャンクションとケース温度が低くなり、デバイスの信頼性が向上します。 信頼性を損なうことなく、バス電圧を50 V増加させることができます。
650 Vブレークスルー電圧
クラス最高のHighSpeed 3ファミリと比較
ファクタ2.5低Qg
ファクタ2倍のスイッチング損失削減
VCEsatで200 mVの低減
Rapid Siダイオード技術を搭載
低COES / EOSS
マイルドポジティブ温度係数VCEsa
クラス最高のHighSpeed 3ファミリと比較
ファクタ2.5低Qg
ファクタ2倍のスイッチング損失削減
VCEsatで200 mVの低減
Rapid Siダイオード技術を搭載
低COES / EOSS
マイルドポジティブ温度係数VCEsa