インフィニオン モジュール IGBTモジュール 150 V, 650 A
- RS品番:
- 273-7364
- メーカー型番:
- F3L150R07W2E3B11BOMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
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- RS品番:
- 273-7364
- メーカー型番:
- F3L150R07W2E3B11BOMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| 最大連続コレクタ電流 | 650 A | |
| 最大コレクタ- エミッタ間電圧 | 150 V | |
| 最大ゲート-エミッタ間電圧 | +/-20V | |
| 最大パワー消費 | 335 W | |
| パッケージタイプ | モジュール | |
| 実装タイプ | パネルマウント | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
最大連続コレクタ電流 650 A | ||
最大コレクタ- エミッタ間電圧 150 V | ||
最大ゲート-エミッタ間電圧 +/-20V | ||
最大パワー消費 335 W | ||
パッケージタイプ モジュール | ||
実装タイプ パネルマウント | ||
Infineon IGBTモジュールは、650 V VCES、150 A連続DCコレクタ電流、3レベルフェーズレッグフェーズレッグIGBTモジュールを備え、TRENCHSTOP IGBT3、エミッタ制御3ダイオード、NTC、及びプレスFIT端子技術を備えています。このIGBTモジュールは、ブロッキング電圧能力を650 Vまで向上させ、低熱抵抗のAl2O3基板を装備しています。
低VCEsat
コンパクトな設計
頑丈な取り付け
低誘導設計
低スイッチング損失
コンパクトな設計
頑丈な取り付け
低誘導設計
低スイッチング損失