onsemi Nチャンネル IGBT 600 V 30 A, 4-Pin TO-220
- RS品番:
- 769-5810
- メーカー型番:
- NGTG15N60S1EG
- メーカー/ブランド名:
- ON Semiconductor
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- RS品番:
- 769-5810
- メーカー型番:
- NGTG15N60S1EG
- メーカー/ブランド名:
- ON Semiconductor
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | ON Semiconductor | |
| 最大連続コレクタ電流 | 30 A | |
| 最大コレクタ- エミッタ間電圧 | 600 V | |
| 最大ゲート-エミッタ間電圧 | ±20V | |
| 最大パワー消費 | 117 W | |
| パッケージタイプ | TO-220 | |
| 実装タイプ | スルーホール | |
| チャンネルタイプ | N | |
| ピン数 | 4 | |
| 寸法 | 10.28 x 4.82 x 15.75mm | |
| 動作温度 Max | +150 °C | |
| 動作温度 Min | -55 °C | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド ON Semiconductor | ||
最大連続コレクタ電流 30 A | ||
最大コレクタ- エミッタ間電圧 600 V | ||
最大ゲート-エミッタ間電圧 ±20V | ||
最大パワー消費 117 W | ||
パッケージタイプ TO-220 | ||
実装タイプ スルーホール | ||
チャンネルタイプ N | ||
ピン数 4 | ||
寸法 10.28 x 4.82 x 15.75mm | ||
動作温度 Max +150 °C | ||
動作温度 Min -55 °C | ||
IGBTディスクリート、ON Semiconductor
モータ駆動とスイッチング用途向けの絶縁型ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)
IGBTディスクリート、ON Semiconductor
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。