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ディスクリート・ディスクリート半導体
IGBT
onsemi Nチャンネル IGBT 650 V 70 A, 3-Pin TO-247 シングル
RS品番:
145-3244
メーカー型番:
NGTG35N65FL2WG
メーカー/ブランド名:
ON Semiconductor
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取扱終了
RS品番:
145-3244
メーカー型番:
NGTG35N65FL2WG
メーカー/ブランド名:
ON Semiconductor
データシート
その他
詳細情報
仕様
Datasheet
ESD Control Selection Guide V1
RoHSステータス: 適合
COO(原産国):
CN
IGBTディスクリート、ON Semiconductor
モータ駆動とスイッチング用途向けの絶縁型ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)
IGBTディスクリート、ON Semiconductor
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。
特性
最大連続コレクタ電流
70 A
最大コレクタ- エミッタ間電圧
650 V
最大ゲート-エミッタ間電圧
±20V
最大パワー消費
300 W
パッケージタイプ
TO-247
実装タイプ
スルーホール
チャンネルタイプ
N
ピン数
3
トランジスタ構成
シングル
寸法
16.26 x 5.3 x 21.08mm
動作温度 Min
-55 °C
ゲート静電容量
3115pF
動作温度 Max
+175 °C