IXYS TO-220 IGBT, Nチャンネル, 1.2 kV, 80 A, 3ピン
- RS品番:
- 791-7425
- メーカー型番:
- IXGP20N120B3
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
取扱終了
- RS品番:
- 791-7425
- メーカー型番:
- IXGP20N120B3
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | IXYS | |
| パッケージ型式 | TO-220 | |
| プロダクトタイプ | IGBT | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大コレクタエミッタ電圧 (Vceo) | 1.2 kV | |
| 最大連続コレクタ電流 (Ic) | 80 A | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ゲートエミッタ電圧(VGEO) | 20 V | |
| 動作温度 (Max) | 150 °C | |
| 動作温度 (Min) | -55 °C | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド IXYS | ||
パッケージ型式 TO-220 | ||
プロダクトタイプ IGBT | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大コレクタエミッタ電圧 (Vceo) 1.2 kV | ||
最大連続コレクタ電流 (Ic) 80 A | ||
ピン数 3 | ||
最大ゲートエミッタ電圧(VGEO) 20 V | ||
動作温度 (Max) 150 °C | ||
動作温度 (Min) -55 °C | ||
取付タイプ スルーホール | ||
IGBT Discretes, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.