onsemi, HGT1S10N120BNST TO-263 IGBT, タイプNチャンネル 1200 V, 35 A, 3-Pin 表面

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梱包形態
RS品番:
807-6660
メーカー型番:
HGT1S10N120BNST
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

IGBT

最大連続コレクタ電流 Ic

35A

最大コレクタエミッタ電圧 Vceo

1200V

最大許容損失Pd

298W

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

チャンネルタイプ

タイプN

ピン数

3

スイッチングスピード

1MHz

最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT

2.45V

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートエミッタ電圧VGEO

±20 V

動作温度 Max

150°C

シリーズ

NPT

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Fairchild Semiconductor ディスクリートIGBT 1000 V以上


IGBTディスクリート / モジュール、Fairchild Semiconductor


絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。

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