onsemi Nチャンネル IGBT 1200 V 80 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) シングル
- RS品番:
- 807-6660
- メーカー型番:
- HGT1S10N120BNST
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
在庫切れ
単価： 購入単位は2個
￥453.50
(税抜)
￥498.85
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2 - 38 | ￥453.50 | ￥907.00 |
| 40 - 378 | ￥440.00 | ￥880.00 |
| 380 - 498 | ￥427.00 | ￥854.00 |
| 500 - 638 | ￥414.00 | ￥828.00 |
| 640 + | ￥401.50 | ￥803.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 807-6660
- メーカー型番:
- HGT1S10N120BNST
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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その他
詳細情報
Fairchild Semiconductor ディスクリートIGBT 1000 V以上
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
IGBTディスクリート / モジュール、Fairchild Semiconductor
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。
仕様
特性 | |
|---|---|
| 最大連続コレクタ電流 | 80 A |
| 最大コレクタ- エミッタ間電圧 | 1200 V |
| 最大ゲート-エミッタ間電圧 | ±20V |
| 最大パワー消費 | 298 W |
| パッケージタイプ | D2PAK (TO-263) |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| チャンネルタイプ | N |
| ピン数 | 3 |
| スイッチングスピード | 1MHz |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 寸法 | 10.67 x 11.33 x 4.83mm |
| 動作温度 Min | -55 °C |
| 動作温度 Max | +150 °C |
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