onsemi D2PAK (TO-263) IGBT, Nチャンネル 1200 V, 80 A, 3-Pin

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梱包形態
RS品番:
807-6660
メーカー型番:
HGT1S10N120BNST
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

最大連続コレクタ電流

80 A

最大コレクタ- エミッタ間電圧

1200 V

最大ゲート-エミッタ間電圧

±20V

最大パワー消費

298 W

パッケージタイプ

D2PAK (TO-263)

実装タイプ

表面実装

チャンネルタイプ

N

ピン数

3

スイッチングスピード

1MHz

トランジスタ構成

シングル

寸法

10.67 x 11.33 x 4.83mm

動作温度 Max

+150 °C

動作温度 Min

-55 °C

Fairchild Semiconductor ディスクリートIGBT 1000 V以上


受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


IGBTディスクリート / モジュール、Fairchild Semiconductor


絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。

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