onsemi TO-263 IGBT, タイプNチャンネル, 1200 V, 35 A, 3ピン
- RS品番:
- 807-6660
- メーカー型番:
- HGT1S10N120BNST
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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|---|---|---|
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| 40 - 378 | ￥888.50 | ￥1,777 |
| 380 - 498 | ￥803.00 | ￥1,606 |
| 500 - 638 | ￥719.50 | ￥1,439 |
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- RS品番:
- 807-6660
- メーカー型番:
- HGT1S10N120BNST
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | IGBT | |
| 最大連続コレクタ電流 Ic | 35A | |
| 最大コレクタエミッタ電圧 Vceo | 1200V | |
| 最大許容損失Pd | 298W | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| ピン数 | 3 | |
| スイッチングスピード | 1MHz | |
| 最大ゲートエミッタ電圧VGEO | ±20 V | |
| 最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT | 2.45V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| シリーズ | NPT | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ IGBT | ||
最大連続コレクタ電流 Ic 35A | ||
最大コレクタエミッタ電圧 Vceo 1200V | ||
最大許容損失Pd 298W | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
取付タイプ 表面 | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
ピン数 3 | ||
スイッチングスピード 1MHz | ||
最大ゲートエミッタ電圧VGEO ±20 V | ||
最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT 2.45V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
シリーズ NPT | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
Fairchild Semiconductor ディスクリートIGBT 1000 V以上
IGBTディスクリート / モジュール、Fairchild Semiconductor
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。