STMicroelectronics, STGD5NB120SZT4 TO-252 IGBT, タイプNチャンネル 1200 V, 5 A, 3-Pin 表面

ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋5個入り) 小計:*

¥1,877.00

(税抜)

¥2,064.70

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 6,890 2026年2月16日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
購入単位毎合計*
5 - 120¥375.40¥1,877
125 - 1195¥328.00¥1,640
1200 - 1595¥281.00¥1,405
1600 - 1995¥234.80¥1,174
2000 +¥187.80¥939

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
877-2879
メーカー型番:
STGD5NB120SZT4
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

STMicroelectronics

最大連続コレクタ電流 Ic

5A

プロダクトタイプ

IGBT

最大コレクタエミッタ電圧 Vceo

1200V

最大許容損失Pd

75W

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

チャンネルタイプ

タイプN

ピン数

3

スイッチングスピード

690ns

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートエミッタ電圧VGEO

±20 V

最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT

2V

動作温度 Max

150°C

6.4 mm

長さ

6.2mm

規格 / 承認

JEDEC JESD97, ECOPACK

シリーズ

H

高さ

2.2mm

自動車規格

なし

エネルギー定格

12.68mJ

COO(原産国):
CN

IGBTディスクリート、STMicroelectronics


IGBTディスクリート&モジュール、STMicroelectronics


絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。

関連ページ