STMicroelectronics DPAK (TO-252) IGBT, Nチャンネル 1200 V, 10 A, 3-Pin

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梱包形態
RS品番:
877-2879
メーカー型番:
STGD5NB120SZT4
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

最大連続コレクタ電流

10 A

最大コレクタ- エミッタ間電圧

1200 V

最大ゲート-エミッタ間電圧

±20V

最大パワー消費

75 W

パッケージタイプ

DPAK (TO-252)

実装タイプ

表面実装

チャンネルタイプ

N

ピン数

3

トランジスタ構成

シングル

寸法

6.6 x 6.2 x 2.4mm

ゲート静電容量

430pF

動作温度 Max

+150 °C

エネルギー定格

12.68mJ

動作温度 Min

-55 °C

COO（原産国）:
CN

IGBTディスクリート、STMicroelectronics


受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


IGBTディスクリート&モジュール、STMicroelectronics


絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。

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