IXYS TO-247 IGBT, Nチャンネル 1200 V, 90 A, 3-Pin
- RS Stock No.:
- 920-1007
- Mfr. Part No.:
- IXYH50N120C3D1
- Brand:
- IXYS
Bulk discount available
Subtotal (1 tube of 30 units)*
¥36,626.01
(exc. VAT)
¥40,288.62
(inc. VAT)
30 unitsを追加で送料無料になります
一時的に在庫切れ
- 30 は 2026年3月04日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
Units | Per unit | Per Tube* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | ¥1,220.867 | ¥36,626 |
| 150 - 270 | ¥1,208.167 | ¥36,245 |
| 300 - 720 | ¥1,184.167 | ¥35,525 |
| 750 - 1470 | ¥1,160.167 | ¥34,805 |
| 1500 + | ¥1,137.533 | ¥34,126 |
*price indicative
- RS Stock No.:
- 920-1007
- Mfr. Part No.:
- IXYH50N120C3D1
- Brand:
- IXYS
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
Product Details
Find similar products by selecting one or more attributes.
Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| ブランド | IXYS | |
| 最大連続コレクタ電流 | 90 A | |
| 最大コレクタ- エミッタ間電圧 | 1200 V | |
| 最大ゲート-エミッタ間電圧 | ±20V | |
| 最大パワー消費 | 625 W | |
| パッケージタイプ | TO-247 | |
| 実装タイプ | スルーホール | |
| チャンネルタイプ | N | |
| ピン数 | 3 | |
| スイッチングスピード | 50kHz | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 寸法 | 16.26 x 5.3 x 21.46mm | |
| 動作温度 Max | +150 °C | |
| 動作温度 Min | -55 °C | |
| Select all | ||
|---|---|---|
ブランド IXYS | ||
最大連続コレクタ電流 90 A | ||
最大コレクタ- エミッタ間電圧 1200 V | ||
最大ゲート-エミッタ間電圧 ±20V | ||
最大パワー消費 625 W | ||
パッケージタイプ TO-247 | ||
実装タイプ スルーホール | ||
チャンネルタイプ N | ||
ピン数 3 | ||
スイッチングスピード 50kHz | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
寸法 16.26 x 5.3 x 21.46mm | ||
動作温度 Max +150 °C | ||
動作温度 Min -55 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- US
IGBTディスクリート、IXYS XPTシリーズ
IXYSのXPT™シリーズのディスクリートIGBTは、極めて軽量な穴開き薄型ウエハーテクノロジーを採用しており、熱抵抗の低減とエネルギー損失の軽減を実現しています。 これらのデバイスでは、低テール電流によって高速なスイッチングが可能です。また、さまざまな業界の規格と独自仕様に沿ったパッケージが用意されています。
高電力密度及び低VCE (sat)
逆バイアス安全動作領域(RBSOA)を定格降伏電圧に向かって直角になるように形成
10 μsの短絡耐量
オン状態電圧の正温度係数
オプションのSonic-FRD™又はHiPerFRED™ダイオード付属
国際規格及び独自仕様の高電圧パッケージ
逆バイアス安全動作領域(RBSOA)を定格降伏電圧に向かって直角になるように形成
10 μsの短絡耐量
オン状態電圧の正温度係数
オプションのSonic-FRD™又はHiPerFRED™ダイオード付属
国際規格及び独自仕様の高電圧パッケージ
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
IGBTディスクリート&モジュール、IXYS
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。
