onsemi JFET, Nチャンネル, 15 V, 3-Pin, 2SK3557-6-TB-E
- RS品番:
- 163-2020
- メーカー型番:
- 2SK3557-6-TB-E
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
ボリュームディスカウント対象商品
1 リール(1リール3000個入り) 小計:*
¥67,122.00
(税抜)
¥73,833.00
(税込)
¥3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 3,000 は 2025年12月26日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 3000 - 12000 | ¥22.374 | ¥67,122 |
| 15000 - 27000 | ¥21.746 | ¥65,238 |
| 30000 - 72000 | ¥21.129 | ¥63,387 |
| 75000 - 147000 | ¥20.501 | ¥61,503 |
| 150000 + | ¥19.882 | ¥59,646 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 163-2020
- メーカー型番:
- 2SK3557-6-TB-E
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | N | |
| IDSSドレイン-ソースカットオフ電流 | 10 to 20mA | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 15 V | |
| 最大ドレイン-ゲート間電圧 | -15V | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 回路構成 | シングル | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| パッケージタイプ | CP | |
| ピン数 | 3 | |
| ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス | 10pF | |
| ソースゲート オンキャパシタンス | 2.9pF | |
| 寸法 | 2.9 x 1.5 x 1.1mm | |
| 高さ | 1.1mm | |
| 長さ | 2.9mm | |
| 動作温度 Max | +150 °C | |
| 幅 | 1.5mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ N | ||
IDSSドレイン-ソースカットオフ電流 10 to 20mA | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 15 V | ||
最大ドレイン-ゲート間電圧 -15V | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
回路構成 シングル | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
パッケージタイプ CP | ||
ピン数 3 | ||
ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス 10pF | ||
ソースゲート オンキャパシタンス 2.9pF | ||
寸法 2.9 x 1.5 x 1.1mm | ||
高さ 1.1mm | ||
長さ 2.9mm | ||
動作温度 Max +150 °C | ||
幅 1.5mm | ||
- COO(原産国):
- CN
NチャンネルJFET、ON Semiconductor
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
JFETトランジスタ
JFET (接合型電界効果トランジスタ)及びHEMT / HFET (高電子移動度トランジスタ / ヘテロ接合FET)ディスクリート半導体デバイス製品です。
