ボリュームディスカウント対象商品
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 50 - 100 | ￥53.24 | ￥2,662 |
| 150 - 1200 | ￥46.86 | ￥2,343 |
| 1250 - 1450 | ￥40.46 | ￥2,023 |
| 1500 - 2450 | ￥33.00 | ￥1,650 |
| 2500 + | ￥26.64 | ￥1,332 |
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- RS品番:
- 806-4311
- メーカー型番:
- MMBFJ111
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | N | |
| IDSSドレイン-ソースカットオフ電流 | 20mA | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 15 V | |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -35 V | |
| 最大ドレイン-ゲート間電圧 | 35V | |
| 回路構成 | シングル | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 30 Ω | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| パッケージタイプ | SOT-23 | |
| ピン数 | 3 | |
| ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス | 28pF | |
| ソースゲート オンキャパシタンス | 28pF | |
| 寸法 | 2.9 x 1.3 x 1.04mm | |
| 幅 | 1.3mm | |
| 動作温度 Min | -55 °C | |
| 高さ | 1.04mm | |
| 動作温度 Max | +150 °C | |
| 長さ | 2.9mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ N | ||
IDSSドレイン-ソースカットオフ電流 20mA | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 15 V | ||
最大ゲート-ソース間電圧 -35 V | ||
最大ドレイン-ゲート間電圧 35V | ||
回路構成 シングル | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗 30 Ω | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
パッケージタイプ SOT-23 | ||
ピン数 3 | ||
ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス 28pF | ||
ソースゲート オンキャパシタンス 28pF | ||
寸法 2.9 x 1.3 x 1.04mm | ||
幅 1.3mm | ||
動作温度 Min -55 °C | ||
高さ 1.04mm | ||
動作温度 Max +150 °C | ||
長さ 2.9mm | ||
NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
JFETトランジスタ
JFET (接合型電界効果トランジスタ)及びHEMT / HFET (高電子移動度トランジスタ / ヘテロ接合FET)ディスクリート半導体デバイス製品です。