仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	論理回路	HCT
	ロジックタイプ	バッファ
	インターフェース	バッファ&ラインドライバIC
	回路数	4
	入力タイプ	LS-TTL
	出力タイプ	3ステート
	極性	非反転
	実装タイプ	表面実装
	パッケージタイプ	SOIC
	ピン数	14
	高レベル出力電流 Max	6mA
	低レベル出力電流 Max	6mA
	最大伝播遅延時間 @ 最大 CL	36 ns @ 50 pF
	寸法	8.75 x 4 x 1.5mm
	動作供給電圧 Min	2 V
	動作供給電圧 Max	6 V
	自動車規格	AEC-Q101
	伝播遅延テスト条件	50pF

	すべて選択
	ブランド onsemi
	論理回路 HCT
	ロジックタイプバッファ
	インターフェースバッファ&ラインドライバIC
	回路数 4
	入力タイプ LS-TTL
	出力タイプ 3ステート
	極性非反転
	実装タイプ表面実装
	パッケージタイプ SOIC
	ピン数 14
	高レベル出力電流 Max 6mA
	低レベル出力電流 Max 6mA
	最大伝播遅延時間 @ 最大 CL 36 ns @ 50 pF
	寸法 8.75 x 4 x 1.5mm
	動作供給電圧 Min 2 V
	動作供給電圧 Max 6 V
	自動車規格 AEC-Q101
	伝播遅延テスト条件 50pF

Datasheet MC74HCT125ADG

MC74HCT125A のピン配列は、 LS125 のピン配列と同じです。デバイス入力は、標準 CMOS 及び LSTTL 出力に対応しています。MC74HCT125A 非反転バッファは、 3 ステートメモリアドレスドライバ、クロックドライバ、及びその他のバス指向システムと併用するように設計されています。これらのデバイスは、アクティブローの 4 つの独立した出力イネーブルを備えています。

出力駆動能力： 15 LSTTL 負荷
CMOS 、 NMOS 、 TTL との直接インターフェイスで出力
動作電圧範囲： 2.0 ～ 6.0V
低入力電流： 1.0 μ A
高ノイズ耐性 CMOS デバイスの特性

チップの複雑さ： 72 FET または 18 相当の Gates
鉛フリーデバイス

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

onsemi バッファ,ラインドライバ, 14-Pin, SOIC, 表面実装

関連ページ