Nexperia モノステーブルマルチバイブレータ, 表面実装, 2.4mA, モノステーブルマルチバイブレータ, HEF4538BT,653
- RS品番:
- 170-8002
- メーカー型番:
- HEF4538BT,653
- メーカー/ブランド名:
- Nexperia
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- RS品番:
- 170-8002
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- HEF4538BT,653
- メーカー/ブランド名:
- Nexperia
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Nexperia | |
| 論理回路 | HEF | |
| ロジックタイプ | モノステーブルマルチバイブレータ | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 高レベル出力電流 Max | -2.4mA | |
| 低レベル出力電流 Max | 2.4mA | |
| 最小パルス幅 | 90 ns | |
| 最大伝播遅延時間 @ 最大 CL | 460 ns @ 50 pF | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| パッケージタイプ | SO | |
| ピン数 | 16 | |
| 寸法 | 10 x 4 x 1.45mm | |
| 高さ | 1.45mm | |
| 長さ | 10mm | |
| 幅 | 4mm | |
| 動作供給電圧 Max | 15 V | |
| 伝播遅延テスト条件 | 50pF | |
| 動作温度 Max | +125 °C | |
| 動作供給電圧 Min | 3 V | |
| 動作温度 Min | -40 °C | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Nexperia | ||
論理回路 HEF | ||
ロジックタイプ モノステーブルマルチバイブレータ | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
高レベル出力電流 Max -2.4mA | ||
低レベル出力電流 Max 2.4mA | ||
最小パルス幅 90 ns | ||
最大伝播遅延時間 @ 最大 CL 460 ns @ 50 pF | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
パッケージタイプ SO | ||
ピン数 16 | ||
寸法 10 x 4 x 1.45mm | ||
高さ 1.45mm | ||
長さ 10mm | ||
幅 4mm | ||
動作供給電圧 Max 15 V | ||
伝播遅延テスト条件 50pF | ||
動作温度 Max +125 °C | ||
動作供給電圧 Min 3 V | ||
動作温度 Min -40 °C | ||
4000シリーズマルチバイブレータ / タイマ、Nexperia
HEF4538Bは、再トリガと再リセットが可能なデュアル単安定マルチバイブレータです。各マルチバイブレータはアクティブLOWのトリガ / 再トリガ入力(nA)、アクティブHIGHのトリガ / 再トリガ入力(nB)、優先されるアクティブLOW直接リセット入力(nCD)、出力(nQ)、その相補出力(∼nQ)、外付けタイミング部品CEXT及びREXTを接続するための2ピン(nREXT / CEXT、nCEXTは常に接地)を備えています。所定の温度範囲全体にわたり、標準パルス幅の公差は±0.2 %です。入力パルスの立ち上がり又は立ち下がりのどちらのエッジでもトリガでき、パルス幅10 μs~無限大の出力パルスを正確に生成できます。出力パルスの期間と精度は、外付けのタイミング部品CEXTとREXTで決まります。
シンプルな制御インターフェイス
パワーオンリセット
個別リセット入力付きのデュアルデバイス
立ち上がり又は立ち下がりエッジトリガ
CMOSによる低電力
主な用途
制御回路におけるタイミング遅延
パワーオンリセット
個別リセット入力付きのデュアルデバイス
立ち上がり又は立ち下がりエッジトリガ
CMOSによる低電力
主な用途
制御回路におけるタイミング遅延
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
4000 CMOSロジックファミリ、Nexperia
CMOSファミリデバイス
広範囲の動作電圧: 3 → 18 V
広範囲の動作電圧: 3 → 18 V
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