STMicroelectronics MOSFET, タイプPチャンネル 60 V, 35 A エンハンスメント型, 3-Pin パッケージTO-252, STD35P6LLF6

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RS品番:
151-911
メーカー型番:
STD35P6LLF6
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

35A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

STripFET F6

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.028Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

30nC

順方向電圧 Vf

1.5V

最大許容損失Pd

70W

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
STripFET F6技術を使用して開発されたSTMicroelectronics PチャンネルパワーMOSFETは、新しいトレンチゲート構造を備えています。結果として得られるパワーMOSFETは、すべてのパッケージで非常に低いRDS(on)を示します。

非常に低いオン抵抗

非常に低いゲート充電

高いアバランシェ耐久性

低いゲート駆動電力損失

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