STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 35 V, 80 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-252
- RS品番:
- 249-6744
- メーカー型番:
- STD80N240K6
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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|---|---|---|
| 2500 - 2500 | ¥547.21 | ¥1,368,025 |
| 5000 - 22500 | ¥539.163 | ¥1,347,908 |
| 25000 - 35000 | ¥531.115 | ¥1,327,788 |
| 37500 - 47500 | ¥523.068 | ¥1,307,670 |
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- RS品番:
- 249-6744
- メーカー型番:
- STD80N240K6
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 80A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 35V | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| シリーズ | STD | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.01mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.1V | |
| 最大許容損失Pd | 70W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 14nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30 V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | UL | |
| 幅 | 6.6 mm | |
| 長さ | 10.1mm | |
| 高さ | 2.4mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 80A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 35V | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
シリーズ STD | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.01mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.1V | ||
最大許容損失Pd 70W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 14nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30 V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 UL | ||
幅 6.6 mm | ||
長さ 10.1mm | ||
高さ 2.4mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
STMicroelectronicsは、超高電圧NチャンネルパワーMOSFETで、スーパージャンクションテクノロジーに基づく最高のメッシュK6テクノロジーを使用して設計されています。その結果、優れた電力密度と高効率を必要とする用途向けに、エリア及びゲート負荷あたりのクラス最高のオン抵抗が得られます。
世界最高のRDS(on) x エリア
世界最高のFOM (メリットの数字)
超低ゲート電荷
100 %アバランシェテスト済み
Zener保護
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