STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 12 A エンハンスメント型, 3-Pin パッケージTO-252, STD12NF06T4
- RS品番:
- 151-938
- メーカー型番:
- STD12NF06T4
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 151-938
- メーカー型番:
- STD12NF06T4
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 12A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| シリーズ | STripFET II | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.1Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 12nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 30W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS Compliant | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 12A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
シリーズ STripFET II | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.1Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 12nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 30W | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS Compliant | ||
自動車規格 なし | ||
- COO(原産国):
- CN
STMicroelectronicsパワーMOSFETシリーズは、入力静電容量とゲート充電を最小限に抑えるように特別に設計されたSTripFETプロセスを使用して開発されています。これにより、このデバイスは、通信及びコンピュータ用途向けの高効率の高度な絶縁DC-DCコンバータでのプライマリスイッチとして使用するのに適しています。
卓越したdv/dt能力
100% アバランシェ試験済み
低ゲート充電
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