STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 53 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージACEPACK SMIT, SH63N65DM6AG

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RS品番:
152-112
メーカー型番:
SH63N65DM6AG
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

53A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

MDmesh DM6

パッケージ型式

ACEPACK SMIT

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

64mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

8nC

最大許容損失Pd

424W

最大ゲートソース電圧Vgs

±25 V

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.55V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

AQG 324

自動車規格

AEC

COO（原産国）:
CN
STMicroelectronicsデバイスは、2つのMOSFETをハーフブリッジトポロジで組み合わせています。ACEPACK SMITは、非常にコンパクトで頑丈なパワーモジュールで、表面実装パッケージに収められており、組み立てが簡単です。DBC基板により、ACEPACK SMITパッケージは、絶縁トップサイド熱パッドと組み合わせて低い熱抵抗を実現します。パッケージの高い設計柔軟性により、内部電源スイッチのさまざまな組み合わせにより、位相レッグ、ブースト、シングルスイッチなどの複数の構成が可能になります。

AQG 324有資格者

ハーフブリッジ電源モジュール

ブロック電圧: 650 V

ファストリカバリーダイオード

非常に低いスイッチングエネルギー

低パッケージインダクタンス

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