STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 32 A, 表面, 3-Pin パッケージACEPACK SMIT

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RS品番:
261-5477
メーカー型番:
SH32N65DM6AG
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

32A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

ACEPACK SMIT

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

97mΩ

最大ゲートソース電圧Vgs

25 V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

47nC

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

COO（原産国）:
PH
STMicroelectronics車載グレードNチャンネルパワーMOSFETは、ハーフブリッジトポロジで2つのMOSFETを組み合わせています。ACEPACK SMITは、非常にコンパクトで頑丈なパワーモジュールで、表面実装パッケージに収められており、組み立てが簡単です。DBC基板、ACEPACK SMITパッケージは、絶縁トップサイドサーマルパッドと組み合わせて低熱抵抗を実現します。パッケージの高い設計柔軟性により、内部電源スイッチのさまざまな組み合わせにより、位相レッグ、ブースト、シングルスイッチなどの複数の構成が可能になります。

ハーフブリッジ電源モジュール

ブロッキング電圧: 650 V

高速回復ボディダイオード

非常に低いスイッチングエネルギー

低パッケージインダクタンス

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


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