Nexperia MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 170 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージLFPAK, PSMN4R2-80YSEX
- RS品番:
- 219-334
- メーカー型番:
- PSMN4R2-80YSEX
- メーカー/ブランド名:
- Nexperia
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- RS品番:
- 219-334
- メーカー型番:
- PSMN4R2-80YSEX
- メーカー/ブランド名:
- Nexperia
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Nexperia | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 170A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 80V | |
| パッケージ型式 | LFPAK | |
| シリーズ | PSM | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 5 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 4.2mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 294W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 110nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 10 V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Nexperia | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 170A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V | ||
パッケージ型式 LFPAK | ||
シリーズ PSM | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 5 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 4.2mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 294W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 110nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 10 V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
- COO(原産国):
- PH
Nexperia NチャンネルMOSFETは、高信頼性の銅クリップLFPAK88パッケージで非常に低いRDS(オン)と安全な動作エリアの性能を向上させています。ホットスワップコントローラ用に最適化されており、高いインラッシュ電流に耐え、I2R損失を最小限に抑え、効率を向上させます。用途には、ホットスワップ、負荷スイッチング、ソフトスタート、eヒューズなどがあります。
優れたリニアモード動作を実現するSOA
最高の性能を求める用途向けのLFPAK88パッケージ
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