Nexperia MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 120 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージLFPAK, PSMN4R8-100BSEJ
- RS品番:
- 219-427
- メーカー型番:
- PSMN4R8-100BSEJ
- メーカー/ブランド名:
- Nexperia
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- RS品番:
- 219-427
- メーカー型番:
- PSMN4R8-100BSEJ
- メーカー/ブランド名:
- Nexperia
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Nexperia | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 120A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| パッケージ型式 | LFPAK | |
| シリーズ | PSM | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 4.8mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | 25°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 10 V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 278nC | |
| 最大許容損失Pd | 405W | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Nexperia | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 120A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
パッケージ型式 LFPAK | ||
シリーズ PSM | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 4.8mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min 25°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 10 V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 278nC | ||
最大許容損失Pd 405W | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- PH
Nexperia NチャンネルMOSFETは、非常に低いRDS(on)と安全な動作エリアの性能を強化しています。ホットスワップコントローラ用に最適化されており、高いインラッシュ電流に耐え、I2R損失を最小限に抑え、効率を向上させます。用途には、ホットスワップ、負荷スイッチング、ソフトスタート、eヒューズなどがあります。
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